Ramtron 公司成立于 1984 年，一直以来致力于铁电存储器 (FRAM) 产品的设计、开发以及销售。 1992 年 Ramtron 公司在美国那斯达克上市，该公司拥有领先的铁电储存技术，是量产化的 FRAM 产品供货商。
FRAM 技术融合了 RAM 和 ROM 的特性：具有 RAM 的读写速度，又能掉电保持。 FRAM 系列芯片写数据无延时，先进高可靠的铁电处理技术，超强的抗干扰能力，在 3.3V 环境下 FRAM 读写次数无限次，数据保存时间可达 10 年 ~45 年，这些特性让您的系统稳定可靠地应用于各种场合。
为了满足您的产品高性价比的需求， FRAM 产品提供了多种接口 (I 2 C ， SPI ，并行 ) ，多种容量 (4Kbit 、 16Kbit 、 64Kbit 、 256Kbit 、 1Mbit 、 4Kbit), 多种电压级别的产品。
特性
* 读写次数：一万亿次 (5V) 、无限次 (3.3V) ；
* 读写速度：快 (70ns) 、无写等待、按字节进行写操作；
* 功耗：写入功耗仅为 EEPROM 的 1/20 、而且具有极低的静态功耗；
* 通信接口：与工业标准的 SRAM/EEPROM 兼容 (I 2C ， SPI ，并行 );
* 高可靠性： 45~125 年的保存寿命，抵抗磁场电场干扰的能力好；
* 元件封装：符合 RoHS 的 Green 封装；
* 工业级或汽车级工作温度，符合 AEC-Q100 认证；
FM24C04A-4Kb FRAM串行存储器 描述 FM 24C 04A 是采用先进的铁电技术制造的 4K 位非易失性存储器。铁电随机存储器（ FRAM ）具有非易失性，并且可以象 RAM 一样快速读写。数据在掉电后可以保存 45 年，同时消除由 EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。
与串行 EEPROM 系列不同的是， FM 24C 04A 以总线速度进行写操作，无须延时。数据成功发到 FM 24C 04A 器件后写到存储器阵列，下一个总线周期可以立即开始。
FM 24C 04A 的这些功能使得它非常适合用在需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用中。举例说明，在数据采集应用中，对写入数据的频率要求很高；在需要工业控制的应用中，太长时间的 EEPROM 写会导致数据丢失。 FM 24C 04A 将这两种特性结合在一起，使系统具有更快的写操作速度和更少的系统开销。
FM 24C 04A 为使用串行 EEPROM 的用户提供了便利，它在硬件上可以直接替换 EEPROM 。 FM 24C 04A 使用两线协议 , 工业标准的 8 脚封装，工业操作温度范围为－ 40 ℃ 到＋ 85 ℃ 。
特性
  4K 位的非易失性铁电存储器
－结构容量为 512*8 位；
－读写次数为 1012 次；
－掉电数据保持 45 年；
－写入无延迟；
－采用先进的高可靠性铁电制造工艺。
快速两线串行协议
－最大总线频率高达 1MHz;
－硬件上可直接替换 EEPROM 。
低功耗工作
－工作电压： 5V ；
－工作电流： 150 （ uA ） 100KMz;
－待机电流： 10uA 。
工业标准
－工业温度－ 40 ℃ 到＋ 85 ℃ ；
－ 8 脚 SOIC （ -S ）；
－ “ 绿色 ”8 脚 SOIC(-G) 。
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